Chanzon 2SB647A TO-92L PNP Power BJT Transistor de unión bipolar (paquete de 50 piezas)

Internacional

Marca

CHANZON

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Tiempo de entrega estimada Lunes 29 de junio al Domingo 5 de julio.

Variaciones disponibles

Precio

S/ 121

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M

Marcela E.

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Buen Servcio, te avisan cada paso de tu pedido como va.

27 de abr de 2026

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Edilberto A.

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excelente servicio

18 de abr de 2026

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Carlos R.

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A pesar del problema con el envio, eso si, el producto es una maravilla.

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Sofia A.

Verificado

El producto enviado corresponde al solicitado, excelente logística

Información clave del producto

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Lo más importante

Transistores de la marca CHANZON

  • Marca: CHANZON
  • Categoría: Transistores
  • Dimensiones: 7.09 x 5.91 x 0.51 pulgadas

Datos técnicos destacados

  • Dimensiones reportadas: 7.09 x 5.91 x 0.51 pulgadas (18.0 x 15.0 x 1.3 cm).
  • Peso aproximado: 1.0 lb (0.5 kg).
  • Posición destacada en Transistores BJT: #18.
  • Disponible desde octubre de 2020.

Preguntas resueltas

¿De qué marca es?

CHANZON.

¿Cuánto pesa?

1,0 libras, aproximadamente 0,5 kg.

¿Cuáles son sus dimensiones?

7.09 x 5.91 x 0.51 pulgadas, aproximadamente 18.0 x 15.0 x 1.3 cm.

¿Desde cuándo está disponible?

Desde octubre de 2020.

¿En qué categoría destaca?

Tiene una posición destacada en Transistores BJT, donde aparece en el puesto #18.

Especificaciones técnicas

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Campo Valor
SKUB0DPFJJ1VX

¿Para qué sirve Chanzon 2SB647A TO-92L PNP Power BJT Transistor de unión bipolar (paquete de 50 piezas)?

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Descripción del producto: El transistor encapsulado de plástico TO-92L es un transistor PNP versátil diseñado para la amplificación de potencia de baja frecuencia. Es una excelente opción para una amplia gama de aplicaciones debido a sus robustas características eléctricas. Características principales: - Amplificador de potencia de baja frecuencia - Par complementario con una contraparte para diversas configuraciones Calificaciones máximas: - Voltaje de colector-base (VCBO): -120 V - Voltaje colector-emisor (VCEO): -80 V - Tensión base emisora (VEBO): -5 V - Corriente del colector (IC): -1 A - Disipación de potencia del colector (PC): 750 mW Características eléctricas: - Tensión de ruptura de la base del colector (V(BR) CBO): -120 V - Voltaje de avería del colector-emisor (V(BR) CEO): -80 V - Tensión de ruptura de la base del emisor (V(BR) EBO): -5 V - Corriente de corte del colector (ICBO): -10 μA - Ganancia de corriente continua (hFE): 60 a 320 - Voltaje de saturación del colector-emisor (VCE (sat)): -1 V - Voltaje Base-Emisor (VBE): -1.5 V - Capacitancia de salida del colector (Cob): 20 pF - Frecuencia de transición (fT): 140 MHz Especificaciones térmicas y de almacenamiento: - Unión a la resistencia térmica ambiental (RθJA): 332.6 °F/W - Temperatura de unión (Tj): 302.0 °F - Temperatura de almacenamiento: -55 a +302.0 °F Dimensiones físicas: - Tipo de paquete: TO-92L - Las dimensiones se proporcionan en milímetros y pulgadas para mayor comodidad. Este transistor está diseñado para satisfacer las necesidades de profesionales y aficionados por igual, ofreciendo un equilibrio entre rendimiento y fiabilidad.

Tipo de transistor: Transistor de potencia complementario del silicio PNP Polaridad del transistor: Transistor de unión bipolar PNP. Especificación: Soporta PC de hasta 0.9W, Ic hasta 0.5A, Vcbo hasta 120V, Vceo hasta 100V y Vebo hasta 5V. Aplicación: Adecuado para varios circuitos electrónicos para amplificación, así como ciertos tipos de interruptores y procesamiento de señales. Paquete: Se suministra en un embalaje TO-92L con 50 unidades por paquete, lo que garantiza robustez y larga vida útil.

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